KSE181 Todos los transistores

 

KSE181 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSE181
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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KSE181 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  fairchild semi
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KSE181

KSE180/181/182Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching ApplicationsTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE180 60 V : KSE181 80 V : KSE182 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE180 40 V : KSE181 60 V

 9.1. Size:56K  samsung
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KSE181

KSE180/181/182 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDESIGNED FOR LOW POWER AUDIOTO-126AMPLIFIER AND LOW CURRENTHIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage : KSE180 VCBO 60 V : KSE181 80 V : KSE182 100 V Collector-Emitter Voltage VCEO : KSE180 40 V : KSE181 60 V : KSE182 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 7

Otros transistores... KSE13007F , KSE13008 , KSE13009 , KSE13009F , KSE170 , KSE171 , KSE172 , KSE180 , BC547 , KSE182 , KSE200 , KSE210 , KSE2955T , KSE3055T , KSE340 , KSE350 , KSE44H-1 .

 

 
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