Справочник транзисторов. KSE181

 

Биполярный транзистор KSE181 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSE181
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для KSE181

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSE181 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  fairchild semi
 kse180 kse181 kse182.pdf pdf_icon

KSE181

KSE180/181/182Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching ApplicationsTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE180 60 V : KSE181 80 V : KSE182 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE180 40 V : KSE181 60 V

 9.1. Size:56K  samsung
 kse180.pdf pdf_icon

KSE181

KSE180/181/182 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDESIGNED FOR LOW POWER AUDIOTO-126AMPLIFIER AND LOW CURRENTHIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage : KSE180 VCBO 60 V : KSE181 80 V : KSE182 100 V Collector-Emitter Voltage VCEO : KSE180 40 V : KSE181 60 V : KSE182 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 7

Другие транзисторы... KSE13007F , KSE13008 , KSE13009 , KSE13009F , KSE170 , KSE171 , KSE172 , KSE180 , BC547 , KSE182 , KSE200 , KSE210 , KSE2955T , KSE3055T , KSE340 , KSE350 , KSE44H-1 .

History: TSC114YNND03 | MMBT5401DW

 

 
Back to Top

 


 
.