KSE182 Todos los transistores

 

KSE182 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSE182
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO126

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KSE182

 

Principales características: KSE182

 ..1. Size:50K  fairchild semi
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KSE182

KSE180/181/182 Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching Applications TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KSE180 60 V KSE181 80 V KSE182 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSE180 40 V KSE181 60 V

 9.1. Size:56K  samsung
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KSE182

KSE180/181/182 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESIGNED FOR LOW POWER AUDIO TO-126 AMPLIFIER AND LOW CURRENT HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage KSE180 VCBO 60 V KSE181 80 V KSE182 100 V Collector-Emitter Voltage VCEO KSE180 40 V KSE181 60 V KSE182 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 7

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