Справочник транзисторов. KSE182

 

Биполярный транзистор KSE182 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSE182
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KSE182

 

 

KSE182 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  fairchild semi
kse180 kse181 kse182.pdf

KSE182
KSE182

KSE180/181/182Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching ApplicationsTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE180 60 V : KSE181 80 V : KSE182 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE180 40 V : KSE181 60 V

 9.1. Size:56K  samsung
kse180.pdf

KSE182
KSE182

KSE180/181/182 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDESIGNED FOR LOW POWER AUDIOTO-126AMPLIFIER AND LOW CURRENTHIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage : KSE180 VCBO 60 V : KSE181 80 V : KSE182 100 V Collector-Emitter Voltage VCEO : KSE180 40 V : KSE181 60 V : KSE182 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 7

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top