KSE703 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSE703
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de KSE703
KSE703 Datasheet (PDF)
kse700.pdf

KSE700/701/702/703Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= -1.5 and -2.0A DC Complement to KSE800/801/802/803TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSym- UnitParameter Valuebol s VCB
Otros transistores... KSE45H-2 , KSE45H-4 , KSE45H-5 , KSE45H-7 , KSE45H-8 , KSE700 , KSE701 , KSE702 , BC548 , KSE800 , KSE801 , KSE802 , KSE803 , KSH112 , KSH112I , KSH117 , KSH117I .
History: ECG357 | KRA758F | KSA614 | 2SC4021 | DTA410 | GA4A4L | SRA2211
History: ECG357 | KRA758F | KSA614 | 2SC4021 | DTA410 | GA4A4L | SRA2211



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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