Биполярный транзистор KSE703 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSE703
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Корпус транзистора: TO126
KSE703 Datasheet (PDF)
kse700.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
KSE700/701/702/703Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= -1.5 and -2.0A DC Complement to KSE800/801/802/803TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSym- UnitParameter Valuebol s VCB
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .