KSH200 Todos los transistores

 

KSH200 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSH200
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 65 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

KSH200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  fairchild semi
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KSH200

August 2010KSH200NPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures D-PAK for Surface Mount Applications High DC Current Gain Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix)D-PAK I-PAK111.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
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KSH200

isc Silicon NPN Power Transistor KSH200DESCRIPTIONHigh DC current gainBuilt-in a damper diode at E-CLead formed for surface mount applications(NO suffix)Straight lead(IPAK,Isuffix)DPAK for surface mount applications100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSLow frequency power a

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SD1628G | NT354 | MJ13335 | 3DG12 | GBC109 | GT403A | BSW25

 

 
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