KSH200 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSH200
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 65 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO252
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KSH200 Datasheet (PDF)
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August 2010KSH200NPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures D-PAK for Surface Mount Applications High DC Current Gain Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix)D-PAK I-PAK111.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base
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isc Silicon NPN Power Transistor KSH200DESCRIPTIONHigh DC current gainBuilt-in a damper diode at E-CLead formed for surface mount applications(NO suffix)Straight lead(IPAK,Isuffix)DPAK for surface mount applications100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSLow frequency power a
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 3CA4505
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Liste
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