KSH32C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSH32C 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO252
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KSH32C datasheet
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isc Silicon PNP Power Transistor KSH32C DESCRIPTION Lead formed for surface mount applications(NO suffix) Straight lead(IPAK, I suffix) DPAK for surface mount applications 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS General purpose amplifier Low speed switching application ABSOLUTE MAXIMUM
ksh32 c.pdf
KSH32/32C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) D-PAK I-PAK Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) 11 Electrically Similar to Popular TIP32 and TIP32C 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherw
ksh32.pdf
KSH32/32C PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE AMPLIFIER D-PAK LOW SPEED SWITCHING APPLICATIONS D-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS Load Formed for Surface Mount Application(No Suffix) Straight Lead (I.PACK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular TIP32 and TIP32C 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 1. Base 2. Collector 3. Emitter Characteristic Symbol Rating
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
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