KSP25 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSP25
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10000
Encapsulados: TO92
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KSP25 datasheet
ksp25.pdf
KSP25/26/27 Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage VCES=KSP25 40V KSP26 50V KSP27 60V Collector Power Dissipation PC (max) =625mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage KSP25 40 V KSP26 50 V
ksp25.pdf
NPN EPITAXIAL KSP25/26/27 SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DARLINGTON TRANSISTOR TO-92 Collector-Emitter Voltage VCES=KSP25 40V KSP26 50V KSP27 60V Collector Dissipation PC (max) =625mW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCES KSP25 40 V KSP26 50 V KSP27 60 V Emitter-Base Voltage VEBO 10 V Collector Current IC
Otros transistores... KSP12 , KSP13 , KSP14 , KSP17 , KSP20 , KSP2222 , KSP2222A , KSP24 , A42 , KSP26 , KSP2907 , KSP2907A , KSP42 , KSP43 , KSP44 , KSP45 , KSP5172 .
History: BD336
History: BD336
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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