Справочник транзисторов. KSP25

 

Биполярный транзистор KSP25 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSP25
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSP25

 

 

KSP25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  fairchild semi
ksp25.pdf

KSP25
KSP25

KSP25/26/27Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage: VCES=KSP25: 40VKSP26: 50VKSP27: 60V Collector Power Dissipation: PC (max) =625mWTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage: KSP25 40 V: KSP26 50 V:

 ..2. Size:44K  samsung
ksp25.pdf

KSP25
KSP25

NPN EPITAXIALKSP25/26/27 SILICON DARLINGTON TRANSISTORDARLINGTON TRANSISTORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCES=KSP25: 40VKSP26: 50VKSP27: 60V Collector Dissipation:PC (max) =625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCES:KSP25 40 V:KSP26 50 V:KSP27 60 VEmitter-Base Voltage VEBO 10 VCollector Current IC

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2N3055 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top