KSP56 Todos los transistores

 

KSP56 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSP56

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO92

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KSP56 datasheet

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KSP56

KSP55/56 Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO=KSP55 60V KSP56 80V Collector Power Dissipation PC (max) =625mW Complement to KSP05/06 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KSP55 -60 V KSP56 -80 V V

 ..2. Size:301K  onsemi
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KSP56

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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