Аналоги KSP56. Основные параметры
Наименование производителя: KSP56
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для KSP56
KSP56 даташит
ksp55 ksp56.pdf
KSP55/56 Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO=KSP55 60V KSP56 80V Collector Power Dissipation PC (max) =625mW Complement to KSP05/06 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KSP55 -60 V KSP56 -80 V V
ksp55 ksp56.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы... KSP2907 , KSP2907A , KSP42 , KSP43 , KSP44 , KSP45 , KSP5172 , KSP55 , 2N2222 , KSP62 , KSP63 , KSP64 , KSP6520 , KSP6521 , KSP75 , KSP76 , KSP77 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont



