KSP6520 Todos los transistores

 

KSP6520 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSP6520
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSP6520 Datasheet (PDF)

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KSP6520

KSP6520/6521Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO=25V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mWTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base Voltage 4 VIC

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History: 2N2800S | 2SA1253 | H380TM

 

 
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