KSP6520 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSP6520  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSP6520

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSP6520 даташит

 ..1. Size:25K  fairchild semi
 ksp6520 ksp6521.pdf pdf_icon

KSP6520

KSP6520/6521 Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO=25V Collector Power Dissipation PC (max)=625mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 4 V IC

Другие транзисторы: KSP44, KSP45, KSP5172, KSP55, KSP56, KSP62, KSP63, KSP64, 2N5401, KSP6521, KSP75, KSP76, KSP77, KSP8097, KSP8098, KSP8099, KSP8598