KSP75 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSP75
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10000
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KSP75
KSP75 Datasheet (PDF)
ksp75.pdf
KSP75/76/77Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage: VCES= KSP75: 40VKSP76: 50VKSP77: 60V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mW TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Base Voltage : KSP75 -40 V : KSP76 -50 V
ksp75.pdf
PNP EPITAXIALKSP75/76/77 SILICON DARLINGTON TRANSISTORDARLINGTON TRANSISTORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCES=KSP75: 40VKSP76: 50VKSP77: 60V Collector Dissipation: PC(max)=625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCES :KSP75 -40 V :KSP76 -50 V:KSP77 -60Emitter-Base Voltage VEBO -10 VCollector Current
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050