KSP75 Todos los transistores

 

KSP75 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSP75
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10000
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSP75 Datasheet (PDF)

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KSP75

KSP75/76/77Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage: VCES= KSP75: 40VKSP76: 50VKSP77: 60V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mW TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Base Voltage : KSP75 -40 V : KSP76 -50 V

 ..2. Size:44K  samsung
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KSP75

PNP EPITAXIALKSP75/76/77 SILICON DARLINGTON TRANSISTORDARLINGTON TRANSISTORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCES=KSP75: 40VKSP76: 50VKSP77: 60V Collector Dissipation: PC(max)=625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCES :KSP75 -40 V :KSP76 -50 V:KSP77 -60Emitter-Base Voltage VEBO -10 VCollector Current

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