KSP75 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSP75  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSP75

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSP75 даташит

 ..1. Size:31K  fairchild semi
 ksp75.pdf pdf_icon

KSP75

KSP75/76/77 Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage VCES= KSP75 40V KSP76 50V KSP77 60V Collector Power Dissipation PC (max)=625mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Base Voltage KSP75 -40 V KSP76 -50 V

 ..2. Size:44K  samsung
 ksp75.pdf pdf_icon

KSP75

PNP EPITAXIAL KSP75/76/77 SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DARLINGTON TRANSISTOR TO-92 Collector-Emitter Voltage VCES=KSP75 40V KSP76 50V KSP77 60V Collector Dissipation PC(max)=625mW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCES KSP75 -40 V KSP76 -50 V KSP77 -60 Emitter-Base Voltage VEBO -10 V Collector Current

Другие транзисторы: KSP5172, KSP55, KSP56, KSP62, KSP63, KSP64, KSP6520, KSP6521, BC548, KSP76, KSP77, KSP8097, KSP8098, KSP8099, KSP8598, KSP8599, KSP92