Справочник транзисторов. KSP75

 

Биполярный транзистор KSP75 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSP75
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSP75

 

 

KSP75 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:31K  fairchild semi
ksp75.pdf

KSP75 KSP75

KSP75/76/77Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage: VCES= KSP75: 40VKSP76: 50VKSP77: 60V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mW TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Base Voltage : KSP75 -40 V : KSP76 -50 V

 ..2. Size:44K  samsung
ksp75.pdf

KSP75 KSP75

PNP EPITAXIALKSP75/76/77 SILICON DARLINGTON TRANSISTORDARLINGTON TRANSISTORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCES=KSP75: 40VKSP76: 50VKSP77: 60V Collector Dissipation: PC(max)=625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCES :KSP75 -40 V :KSP76 -50 V:KSP77 -60Emitter-Base Voltage VEBO -10 VCollector Current

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top