Биполярный транзистор KSP75 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSP75
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
Корпус транзистора: TO92
KSP75 Datasheet (PDF)
ksp75.pdf
KSP75/76/77Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage: VCES= KSP75: 40VKSP76: 50VKSP77: 60V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mW TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Base Voltage : KSP75 -40 V : KSP76 -50 V
ksp75.pdf
PNP EPITAXIALKSP75/76/77 SILICON DARLINGTON TRANSISTORDARLINGTON TRANSISTORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCES=KSP75: 40VKSP76: 50VKSP77: 60V Collector Dissipation: PC(max)=625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCES :KSP75 -40 V :KSP76 -50 V:KSP77 -60Emitter-Base Voltage VEBO -10 VCollector Current
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SC17A
History: 2SC17A
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050