KST06 Todos los transistores

 

KST06 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KST06
   Código: 1G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KST06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:44K  fairchild semi
 kst05 kst06.pdf pdf_icon

KST06

KST05/06Driver Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST05: 60V 3KST06: 80V Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW Complement to KST55/56 2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collecto-Base Voltage : KST05 60 V: KST06

 0.1. Size:599K  crhj
 skst065n08n skss063n08n.pdf pdf_icon

KST06

SKST065N08N, SKSS063N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m, 105AFeatures Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Wafer Code WCB Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 85V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)5.6mID Qualified according to JEDEC criteria 105AApplications Motor control and drive100% Avala

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