KST06 Todos los transistores

 

KST06 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KST06

Código: 1G

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT23

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KST06 datasheet

 ..1. Size:44K  fairchild semi
 kst05 kst06.pdf pdf_icon

KST06

KST05/06 Driver Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO = KST05 60V 3 KST06 80V Collector Power Dissipation PC (max) = 350mW Complement to KST55/56 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collecto-Base Voltage KST05 60 V KST06

 0.1. Size:599K  crhj
 skst065n08n skss063n08n.pdf pdf_icon

KST06

SKST065N08N, SKSS063N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m , 105A Features Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Wafer Code WCB Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 85V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) 5.6m ID Qualified according to JEDEC criteria 105A Applications Motor control and drive 100% Avala

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History: 2SD1706

 

 

 

 

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