KST1009F1 Todos los transistores

 

KST1009F1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KST1009F1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO236
 

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KST1009F1 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:44K  fairchild semi
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KST1009F1

KST10VHF/UHF Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base Voltage 3 VPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage Temperature 150 CRTH(j-a) Thermal Resis

 9.2. Size:386K  htsemi
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KST1009F1

KST10TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES VHF/UHF Transistor MARKING:3E1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 30 V CBO3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 25 V CEOV Emitter-Base Voltage 3 V EBOI Collector Current 40 mA CPC Collector Power Dissipation 350 mW R Therma

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History: KT208V | UNR5213 | KTC3572 | BU406A | KTD2424 | PUA3117 | 2SC4758

 

 
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