KST56 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KST56
Código: 2G
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO236
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KST56 datasheet
kst55 kst56.pdf
KST55/56 Driver Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO = KST55 - 60V 3 KST56 - 80V Collector Power Dissipation PC (max) = 350mW Complement to KST05/06 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector Base Voltage KST55 -60 V K
Otros transistores... KST4403 , KST5086 , KST5087 , KST5088 , KST5089 , KST5179 , KST55 , KST5550 , BC548 , KST63 , KST64 , KST6428 , KST812M3 , KST812M4 , KST812M5 , KST812M6 , KST812M7 .
History: 2SD1007HO | 2SA1609 | KT104G | BUL49DFP
History: 2SD1007HO | 2SA1609 | KT104G | BUL49DFP
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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