KST812M3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KST812M3
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO236
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KST812M3
KST812M3 Datasheet (PDF)
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kst812m3 7.pdf
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KST812M7S/S TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 1 (KST812M7)
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History: CSC815 | ZTX350L
Liste
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