KST812M3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KST812M3
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO236
Búsqueda de reemplazo de KST812M3
KST812M3 Datasheet (PDF)
kst812m3 7.pdf

KST812M7S/S TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 1 (KST812M7)
Otros transistores... KST5089 , KST5179 , KST55 , KST5550 , KST56 , KST63 , KST64 , KST6428 , BD140 , KST812M4 , KST812M5 , KST812M6 , KST812M7 , KST812M8 , KST92 , KST93 , KSY34 .
History: UNR5216 | NB222YH | 3DD820 | TTD1410B | 2N3742 | 2SD1494
History: UNR5216 | NB222YH | 3DD820 | TTD1410B | 2N3742 | 2SD1494



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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