KST812M7 Todos los transistores

 

KST812M7 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KST812M7

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: TO236

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KST812M7 datasheet

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KST812M7

KST812M7 S/S TR CD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung Electronics Printed in Korea. Page 1 (KST812M7)

Otros transistores... KST56 , KST63 , KST64 , KST6428 , KST812M3 , KST812M4 , KST812M5 , KST812M6 , 13007 , KST812M8 , KST92 , KST93 , KSY34 , KSY62 , KSY62A , KSY62B , KSY63 .

History: IDB553 | KSY63 | 2SA1604 | BUL65B | IDC2073

 

 

 


History: IDB553 | KSY63 | 2SA1604 | BUL65B | IDC2073

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