Биполярный транзистор KST812M7 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KST812M7
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: TO236
Аналог (замена) для KST812M7
KST812M7 Datasheet (PDF)
kst812m3 7.pdf

KST812M7S/S TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 1 (KST812M7)
Другие транзисторы... KST56 , KST63 , KST64 , KST6428 , KST812M3 , KST812M4 , KST812M5 , KST812M6 , 2N3906 , KST812M8 , KST92 , KST93 , KSY34 , KSY62 , KSY62A , KSY62B , KSY63 .
History: BCP56-16T3G | HA22J | ACY13
History: BCP56-16T3G | HA22J | ACY13



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet