Справочник транзисторов. KST812M7

 

Биполярный транзистор KST812M7 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KST812M7
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TO236
 

 Аналог (замена) для KST812M7

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST812M7 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:52K  samsung
kst812m3 7.pdfpdf_icon

KST812M7

KST812M7S/S TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 1 (KST812M7)

Другие транзисторы... KST56 , KST63 , KST64 , KST6428 , KST812M3 , KST812M4 , KST812M5 , KST812M6 , 2N3906 , KST812M8 , KST92 , KST93 , KSY34 , KSY62 , KSY62A , KSY62B , KSY63 .

History: BCP56-16T3G | HA22J | ACY13

 

 
Back to Top

 


 
.