KST93 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KST93
Código: 2E
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO236
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KST93 datasheet
kst92 kst93.pdf
September 2009 KST92/KST93 PNP Epitaxial Silicon Transistor Features High Voltage Transistor High Current, Wide SOA 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector Base Voltage KST92 -300 V KST93 -200 V VCEO Collector-Emitter Voltage KST92 -300 V KST93 -200 V
Otros transistores... KST6428 , KST812M3 , KST812M4 , KST812M5 , KST812M6 , KST812M7 , KST812M8 , KST92 , D882 , KSY34 , KSY62 , KSY62A , KSY62B , KSY63 , KSY71 , KSY72 , KSY81 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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