2N109 Todos los transistores

2N109 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N109

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.165 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 60 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 65

Encapsulados: TO40

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros