2N109 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N109
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.165 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
Paquete / Cubierta: TO40
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2N109 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N1080 , 2N1081 , 2N1082 , 2N1084 , 2N1085 , 2N1086 , 2N1086A , 2N1087 , 2SD2012 , 2N1090 , 2N1091 , 2N1092 , 2N1093 , 2N1094 , 2N1095 , 2N109-5 , 2N1096 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050