Биполярный транзистор 2N109 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N109
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.165 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 65
Корпус транзистора: TO40
2N109 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1080 , 2N1081 , 2N1082 , 2N1084 , 2N1085 , 2N1086 , 2N1086A , 2N1087 , BF422 , 2N1090 , 2N1091 , 2N1092 , 2N1093 , 2N1094 , 2N1095 , 2N109-5 , 2N1096 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050