2N410 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N410
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
Tensión colector-base (Vcb): 13 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO1
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2N410 Datasheet (PDF)
2n4104.pdf

2N4104Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 5.84 (0.230)5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195)4.52 (0.178)Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 60V 0.48 (0.019)0.41 (0.016)dia.IC = 0.05A 2.54 (0.100)All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JA
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History: NSBC144EDP6 | ECG247 | 2SC2484 | FSB560A | CSC1061C | 2SD2038 | 2SC3458L
History: NSBC144EDP6 | ECG247 | 2SC2484 | FSB560A | CSC1061C | 2SD2038 | 2SC3458L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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