2N4116 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N4116  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 37 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 70 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 120 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO59

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2N4116 datasheet

 9.1. Size:129K  rca
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2N4116

 9.2. Size:68K  vishay
 2n4117a pn4117a sst4117 2n4118a pn4118a sst4118 2n4119a pn4119a sst4119.pdf pdf_icon

2N4116

2N/PN/SST4117A Series Vishay Siliconix N-Channel JFETs 2N4117A PN4117A SST4117 2N4118A PN4118A SST4118 2N4119A PN4119A SST4119 PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA) 4117 -0.6 to -1.8 -40 70 30 4118 -1 to -3 -40 80 80 4119 -2 to -6 -40 100 200 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Ultra-Low Leakage 0.2 pA D Insignificant Signal Loss/Error Vo

 9.3. Size:12K  semelab
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2N4116

2N4114 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 80V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 5A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in ac

 9.4. Size:11K  semelab
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2N4116

2N4113 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 80V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 5A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in ac

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