KT912A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KT912A

Código: КТ912А

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 90 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 200 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

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KT912A datasheet

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KT912A

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KT912A

Syntez Microelectronics KT9128AC SILICON BIPOLAR NPN POWER TRANSISTOR 200 W, in the 30 175 MHz Frequency Range ________________________________________________ The silicon bipolar n-p-n transistor is designed for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 30 to 175 MHz frequency range. Features (At 175 MHz) Output Power 200 W Power Gain 7.5 dB Min

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