KT914A Todos los transistores

 

KT914A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KT914A
   Código: КТ914А
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
 

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KT914A Datasheet (PDF)

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KT914A

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KT914A

Syntez MicroelectronicsKT9147ACSILICON BIPOLAR NPN POWER TRANSISTOR200 W, in the 30 500 MHz Frequency Range23,5The silicon bipolar n-p-n transistor is designed forwideband largesignal output and driver amplifier11,4 max 11,4 maxstages in the 30 to 500 MHz frequency range.Features (At 400 MHz): Output Power: 160 W Power Gain: 6 dB Min38 max Efficiency: 50%

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History: MRF401

 

 
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