KT914A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KT914A

Código: КТ914А

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

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KT914A datasheet

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KT914A

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KT914A

Syntez Microelectronics KT9147AC SILICON BIPOLAR NPN POWER TRANSISTOR 200 W, in the 30 500 MHz Frequency Range 23,5 The silicon bipolar n-p-n transistor is designed for wideband large signal output and driver amplifier 11,4 max 11,4 max stages in the 30 to 500 MHz frequency range. Features (At 400 MHz) Output Power 160 W Power Gain 6 dB Min 38 max Efficiency 50%

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