KTD1937 Todos los transistores

 

KTD1937 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTD1937
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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KTD1937 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  kec
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KTD1937

SEMICONDUCTOR KTD1937TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. LAMP SOLENOID DRIVER.ACDIM MILLIMETERSSFEATURES_A 10.0 0.3+_+B 15.0 0.3EHigh hFE : 500 1500(IC=1A).C _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05Low Saturation :VCE(sat)=0.35V(Max.) (IC=5A)._E 3.2 0.2+_F 3.0 0.3+_12.0 0.3G +H 0.5+0.1/-0.05_+

 9.1. Size:214K  inchange semiconductor
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KTD1937

isc Silicon NPN Power Transistor KTD1945DESCRIPTIONLow Saturation Voltage-: V = 0.5V(Max)@ I = 2ACE(sat) CHigh Collector Power Dissipation-: P = 25W(Max)CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collecto

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