KTD1937 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTD1937
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 500
Encapsulados: TO220F
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KTD1937 datasheet
ktd1937.pdf
SEMICONDUCTOR KTD1937 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. LAMP SOLENOID DRIVER. A C DIM MILLIMETERS S FEATURES _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E High hFE 500 1500(IC=1A). C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 Low Saturation VCE(sat)=0.35V(Max.) (IC=5A). _ E 3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05 _ +
ktd1945.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor KTD1945 DESCRIPTION Low Saturation Voltage- V = 0.5V(Max)@ I = 2A CE(sat) C High Collector Power Dissipation- P = 25W(Max) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose application ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collecto
Otros transistores... KTD1302 , KTD1303 , KTD1304 , KTD1351 , KTD1352 , KTD1413 , KTD1414 , KTD1415 , TIP42C , KTD2058 , KTD2059 , KTD2060 , KTD2061 , KTD2066 , KTD2092 , KTD2424 , KTD3055 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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