KTN2369 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTN2369
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 4.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KTN2369
KTN2369 Datasheet (PDF)
ktn2369 a.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2369/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. B CFEATURESHigh Frequency Characteristics : fT=500MHz (Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA).Excellent Switching Characteristics.N DIM MILLIMETERSKTN2369/2369A Electrically Similar to 2N2369/2369A.A 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RA
ktn2369u au.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2369U/AUTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. EFEATURES M B MDIM MILLIMETERSHigh Frequency Characteristics._A+2.00 0.20D2_+B 1.25 0.15: fT=500MHz (Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA)._+C 0.90 0.1031Excellent Switching Characteristics. D 0.3+0.10/-0.05_E +2.10 0.20G 0.65H 0.15+0.1/
ktn2369s as.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2369S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_+2.93 0.20Excellent High Frequency Characteristics. AB 1.30+0.20/-0.15Excellent Switching Characteristics.C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10L 0.55P PM 0.2
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
