KTN2369 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTN2369
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 4.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO92
Búsqueda de reemplazo de KTN2369
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
KTN2369 datasheet
ktn2369 a.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2369/A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES High Frequency Characteristics fT=500MHz (Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA). Excellent Switching Characteristics. N DIM MILLIMETERS KTN2369/2369A Electrically Similar to 2N2369/2369A. A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 MAXIMUM RA
ktn2369u au.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2369U/AU TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS High Frequency Characteristics. _ A + 2.00 0.20 D 2 _ + B 1.25 0.15 fT=500MHz (Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA). _ + C 0.90 0.10 3 1 Excellent Switching Characteristics. D 0.3+0.10/-0.05 _ E + 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/
ktn2369s as.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2369S/AS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + 2.93 0.20 Excellent High Frequency Characteristics. A B 1.30+0.20/-0.15 Excellent Switching Characteristics. C 1.30 MAX 2 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 K 0.00 0.10 L 0.55 P P M 0.2
Otros transistores... KTD686, KTD718, KTD863, KTD998, KTN2222, KTN2222A, KTN2222AS, KTN2222S, A940, KTN2369A, KTN2369S, KTN2369U, KTN2907, KTN2907A, KTN2907AS, KTN2907S, KTN2907U
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet



