MA887 Todos los transistores

 

MA887 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MA887

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.75 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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MA887 datasheet

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MA887

May 2014 FDMA8878 Single N-Channel Power Trench MOSFET 30 V, 9.0 A, 16 m Features General Description Max rDS(on) = 16 m at VGS = 10 V, ID = 9.0 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 19 m at VGS = 4.5 V, ID = 8.5 A been optimized for rDS(on), switching performance. High performance trenc

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History: 2SA1317U | BSR41

 

 

 

 

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