MA887 Todos los transistores

 

MA887 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MA887
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.75 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO5
 
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MA887 Datasheet (PDF)

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MA887

May 2014FDMA8878Single N-Channel Power Trench MOSFET30 V, 9.0 A, 16 mFeatures General Description Max rDS(on) = 16 m at VGS = 10 V, ID = 9.0 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 19 m at VGS = 4.5 V, ID = 8.5 Abeen optimized for rDS(on), switching performance. High performance trenc

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