MA887 - описание и поиск аналогов

 

MA887 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MA887
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для MA887

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MA887 - технические параметры

 0.1. Size:338K  fairchild semi
 fdma8878.pdf pdf_icon

MA887

May 2014 FDMA8878 Single N-Channel Power Trench MOSFET 30 V, 9.0 A, 16 m Features General Description Max rDS(on) = 16 m at VGS = 10 V, ID = 9.0 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 19 m at VGS = 4.5 V, ID = 8.5 A been optimized for rDS(on), switching performance. High performance trenc

Другие транзисторы... MA8002 , MA8003 , MA881 , MA882 , MA883 , MA884 , MA885 , MA886 , A733 , MA888 , MA889 , MA890 , MA891 , MA892 , MA893 , MA894 , MA895 .

 

 
Back to Top

 


 
.