Справочник транзисторов. MA887

 

Биполярный транзистор MA887 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MA887
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для MA887

 

 

MA887 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:338K  fairchild semi
fdma8878.pdf

MA887
MA887

May 2014FDMA8878Single N-Channel Power Trench MOSFET30 V, 9.0 A, 16 mFeatures General Description Max rDS(on) = 16 m at VGS = 10 V, ID = 9.0 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 19 m at VGS = 4.5 V, ID = 8.5 Abeen optimized for rDS(on), switching performance. High performance trenc

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , A1941 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top