MA887 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MA887  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MA887

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MA887 даташит

 0.1. Size:338K  fairchild semi
 fdma8878.pdf pdf_icon

MA887

May 2014 FDMA8878 Single N-Channel Power Trench MOSFET 30 V, 9.0 A, 16 m Features General Description Max rDS(on) = 16 m at VGS = 10 V, ID = 9.0 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 19 m at VGS = 4.5 V, ID = 8.5 A been optimized for rDS(on), switching performance. High performance trenc

Другие транзисторы: MA8002, MA8003, MA881, MA882, MA883, MA884, MA885, MA886, A733, MA888, MA889, MA890, MA891, MA892, MA893, MA894, MA895