Справочник транзисторов. MA887

 

Биполярный транзистор MA887 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MA887
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для MA887

 

 

MA887 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:338K  fairchild semi
fdma8878.pdf

MA887 MA887

May 2014FDMA8878Single N-Channel Power Trench MOSFET30 V, 9.0 A, 16 mFeatures General Description Max rDS(on) = 16 m at VGS = 10 V, ID = 9.0 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 19 m at VGS = 4.5 V, ID = 8.5 Abeen optimized for rDS(on), switching performance. High performance trenc

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top