ME4103 Todos los transistores

 

ME4103 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4103
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO106
 

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ME4103 Datasheet (PDF)

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ME4103

February 2010FDME410NZTN-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 7 A, 26 mFeatures General DescriptionThis Single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 26 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 AFairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 31 m at VGS = 2.5 V, ID = 6 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET Max rDS(on) = 39

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