ME4103 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4103  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO106

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ME4103 datasheet

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ME4103

February 2010 FDME410NZT N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 7 A, 26 m Features General Description This Single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 26 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 A Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 31 m at VGS = 2.5 V, ID = 6 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET Max rDS(on) = 39

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