2N4261 Todos los transistores

 

2N4261 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4261
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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2N4261 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  1
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 ..2. Size:47K  semicoa
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2N4261

Data Sheet No. 2N4261Generic Part Number:Type 2N42612N4261Geometry 0014Polarity PNPREF: MIL-PRF-19500/511Qual Level: JAN - JANSFeatures: Fast switching small signal silicontransistor. Housed in a TO-72 case. Also available in chip form usingthe 0014 chip geometry. The Min and Max limits shown areper MIL-PRF-19500/511 whichSemicoa meets in all cases.

 0.1. Size:191K  microsemi
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2N4261

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http: //www.microsemi.com PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/511 DEVICES LEVELS 2N4261 2N4261UB JAN2N4261UBC * JANTXJANTXV* Avail

 9.1. Size:169K  motorola
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2N4261

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N4264/DGeneral Purpose TransistorNPN Silicon2N4264COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 15 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current Cont

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History: BC849 | 2N698 | BD830 | AD-BC856-A | 2N3925 | 2S451 | 2SC1140

 

 
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