MJ6308 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJ6308
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 140 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 380 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 5
Encapsulados: TO3
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MJ6308 datasheet
mj6308.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor MJ6308 DESCRIPTION 700V Collector-Base Breakdown Capability Excellent Dynamic Saturation Characteristics Fast swithing Low Saturation Voltage Advanced Technology Replacement for the 2N6308 APPLICATIONS Designed in circuits requiring good dynamio saturation characteristics in swithin
Otros transistores... MJ491, MJ500, MJ501, MJ50AC100, MJ5415, MJ5416, MJ6257, MJ6302, 8050, MJ6502, MJ6503, MJ6700, MJ6701, MJ7000, MJ7160, MJ7161, MJ7200
History: UN9116S
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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