MJ6308 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJ6308
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 140 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 380 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de MJ6308
MJ6308 Datasheet (PDF)
mj6308.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor MJ6308 DESCRIPTION 700V Collector-Base Breakdown Capability Excellent Dynamic Saturation Characteristics Fast swithing Low Saturation Voltage Advanced Technology Replacement for the 2N6308 APPLICATIONSDesigned in circuits requiring good dynamio saturation characteristics in swithin
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BDX23-7 | FMMT5137 | FTC3837 | MP1532 | KT315N | 2SD1611 | BCX79-7
History: BDX23-7 | FMMT5137 | FTC3837 | MP1532 | KT315N | 2SD1611 | BCX79-7



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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