MJH13090 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJH13090
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
Tensión colector-base (Vcb): 650 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 350 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
Paquete / Cubierta: TOP3
Búsqueda de reemplazo de MJH13090
MJH13090 Datasheet (PDF)
mjh13090 mjh13091.pdf

isc Silicon NPN Power Transistors MJH13090/13091DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)MJH13090CEO(SUS)= 450V(Min)MJH13091High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage ,high-speed, power switching ininductive circuits where fall time is critic
Otros transistores... MJH10012 , MJH11017 , MJH11018 , MJH11019 , MJH11020 , MJH11021 , MJH11022 , MJH12004 , 2SD669A , MJH13091 , MJH16002 , MJH16002A , MJH16004 , MJH16006 , MJH16006A , MJH16008 , MJH16106 .
History: 40621 | MG75H2DL1 | MJE15035G | IMH4AFRA | RCP705
History: 40621 | MG75H2DL1 | MJE15035G | IMH4AFRA | RCP705



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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