MM1153 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MM1153
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO72
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MM1153 datasheet
wmm115n15hg4.pdf
WMM115N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM115N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the G on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S This device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263 Features V = 150V, I =
Otros transistores... MJW16110 , MJW16206 , MJW16210 , MJW16212 , MM1008 , MM1139 , MM1151 , MM1152 , BD136 , MM1154 , MM1161 , MM1162 , MM1163 , MM1164 , MM1461 , MM1462 , MM1500 .
History: MM1152 | BD954F
🌐 : EN ES РУ
Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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