2N1109 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1109
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
Tensión colector-base (Vcb): 16 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.005 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 11
Paquete / Cubierta: TO22
- Selección de transistores por parámetros
2N1109 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N1101 , 2N1102 , 2N1103 , 2N1104 , 2N1105 , 2N1106 , 2N1107 , 2N1108 , 2N5401 , 2N111 , 2N1110 , 2N1111 , 2N1111A , 2N1111B , 2N1114 , 2N1115 , 2N1115A .
History: 2N1175B | DDTC114YCA | 3DD8 | D7ST4510 | KSC2233 | 2N2270S | 3CG844
History: 2N1175B | DDTC114YCA | 3DD8 | D7ST4510 | KSC2233 | 2N2270S | 3CG844



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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