2N4359 Todos los transistores

 

2N4359 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4359
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO18
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N4359

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N4359 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:18K  calogic
 2n4352.pdf pdf_icon

2N4359

P-Channel Enhancement ModeMOSFET Amplifier/SwitchCORPORATION2N4352FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise noted)A Low ON Resistance Low Capacitance Drain-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V High Gain Drain-Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V P-Chann

 9.2. Size:217K  linear-systems
 2n4351.pdf pdf_icon

2N4359

2N4351 N-CHANNEL MOSFET Linear Integrated Systems ENHANCEMENT MODE FEATURES DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 2N4351 HIGH DRAIN CURRENT ID = 100mA TO-72HIGH GAIN gfs = 1000S BOTTOM VIEWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 @ 25 C (unless otherwise stated) G 2 3 DMaximum Temperatures Storage Temperature -65 to +200 C Operating Junction Temperature -55 to +150 C 1 4S

Otros transistores... 2N4348 , 2N4349 , 2N4350 , 2N4354 , 2N4355 , 2N4356 , 2N4357 , 2N4358 , 2N5551 , 2N438 , 2N4383 , 2N4384 , 2N4385 , 2N4386 , 2N4387 , 2N4388 , 2N4389 .

 

 
Back to Top

 


 
.