MMBR4957LT1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMBR4957LT1
   Código: 7F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.278 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 1200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MMBR4957LT1

MMBR4957LT1 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR4957LT1/DThe RF LinePNP SiliconMMBR4957LT1, T3High-Frequency Transistor. . . designed for highgain, lownoise amplifier oscillator and mixer applica-tions. Specifically packaged for thick and thinfilm circuits using surface mountcomponents. High Gain Gpe = 17 dB Typ @ f = 450 MHzIC = 30 mA

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: SRA2203S | MMBT2222A-G | 2SC3608 | 2SB875 | 2SB891

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050