MMBT200A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMBT200A
Código: N2A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MMBT200A
MMBT200A Datasheet (PDF)
pn200-a mmbt200-a.pdf
PN200 MMBT200PN200A MMBT200ACEC TO-92SOT-23 BBEMark: N2 / N2APNP General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose amplifier applicationsat collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 VVCBO Collector-Base Voltage 60 V
pn200a mmbt200.pdf
PN200A / MMBT200PNP General-Purpose AmplifierDescriptionThis device is designed for general-purpose amplifierapplications at collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 68.CETO-92BSOT-23EBCFigure 1. PN200A Device Package Figure 2. MMBT200 Device Package Ordering InformationPart Number Marking Package Packing MethodPN200A PN200A TO-92 3L BulkMMBT200 N2 SOT-2
mmbt2045.pdf
MMBT2045SOT-23-6LPlastic-Encapsulate Transistors Dual 40V complementary transistorsFEATURESSOT-23-6L 40V complementary device High hFE Mounting cost and area can be cut in half MARKINGEQUIVALENT CIRCUIT PIN1Tr1 NPN and Tr2 PNP Absolute Maximum Ratings (Ta=25) Value Symbol Parameter Unit NPN PNPVCBO Collector-Base Voltage 40 -40 V VCEX Collector-Emitter Vo
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: JE9153C | OC812
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050