MMBT3691 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMBT3691
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO236
- Selección de transistores por parámetros
MMBT3691 Datasheet (PDF)
mmbt3640.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT3640LT1/DSwitching TransistorMMBT3640LT1COLLECTORPNP Silicon3Motorola Preferred Device1BASE23EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 12 VdcCASE 31808, STYLE 6CollectorBase Voltage VCBO 12 VdcSOT23 (TO236AB)EmitterBase Voltage V
mmbt3646.pdf

MMBT3646Switching Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VVCES Collector-Emitter Voltage 40 VVCBO Collector-Base Voltage 40 VVEBO Emitter-Base Voltage 5IC Collector Current (DC) - Continuous 300 mAPD Total Device Dissipation @ TA=25C 625
pn3640 mmbt3640.pdf

PN3640 MMBT3640CETO-92CB BSOT-23EMark: 2JPNP Switching TransistorThis device is designed for very high speed saturated switchingat collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. SeePN4258 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 12 VVCBO Collector-Base Voltage
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BCE178 | 2SA18H | BC266B | 2SC3965 | ECG194 | PHE13005X
History: BCE178 | 2SA18H | BC266B | 2SC3965 | ECG194 | PHE13005X



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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