MP2000A Todos los transistores

 

MP2000A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MP2000A

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 106 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO3

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MP2000A datasheet

 9.1. Size:365K  1
dmp2002ups-13.pdf pdf_icon

MP2000A

 9.2. Size:598K  diodes
dmp2003ups.pdf pdf_icon

MP2000A

DMP2003UPS Green 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) TC = +25 C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 2.2m @ VGS = -10V -150A

 9.3. Size:592K  diodes
dmp2002ups.pdf pdf_icon

MP2000A

DMP2002UPS Green 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25 C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 1.9m @ VGS = -10V -60A

 9.4. Size:398K  diodes
dmp2006ufg.pdf pdf_icon

MP2000A

DMP2006UFG 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID max Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) max TC = +25 C Small form factor, thermally efficient package enables higher density end products 5.5m @ VGS = -4.5V -40A -20V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 7.5m

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