MP26 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MP26
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión emisor-base (Veb): 70 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 13
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MP26
MP26 Datasheet (PDF)
dmp26m7ufg.pdf
DMP26M7UFG 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Max Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) Max TC = +25 Small form factor thermally efficient package enables higher C density end products 6.7m @ VGS = -4.5V -40A -20V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 9.0m
fmp26-02p.pdf
Preliminary Technical Information P CH. N CH.PolarTM P & N-ChannelFMP26-02PPower MOSFETVDSS - 200V 200VCommon Drain Topology34 ID25 - 17A 26AT155 RDS(on) 170m 60m 43trr(typ) 240ns 150nsT2(Electrically Isolated Tab) 1122ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 CTstg -55 ...
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS