MP26 Todos los transistores

 

MP26 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MP26
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión emisor-base (Veb): 70 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 13
 

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MP26 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:388K  diodes
 dmp26m7ufg.pdf pdf_icon

MP26

DMP26M7UFG 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Max Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) Max TC = +25 Small form factor thermally efficient package enables higher C density end products 6.7m @ VGS = -4.5V -40A -20V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 9.0m

 0.2. Size:102K  ixys
 fmp26-02p.pdf pdf_icon

MP26

Preliminary Technical Information P CH. N CH.PolarTM P & N-ChannelFMP26-02PPower MOSFETVDSS - 200V 200VCommon Drain Topology34 ID25 - 17A 26AT155 RDS(on) 170m 60m 43trr(typ) 240ns 150nsT2(Electrically Isolated Tab) 1122ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 CTstg -55 ...

 0.3. Size:943K  russia
 mp25a mp25b mp26a mp26b.pdf pdf_icon

MP26

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History: ESM5008 | 2SA1013T

 

 
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