Биполярный транзистор MP26 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MP26
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 70 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 13
MP26 Datasheet (PDF)
dmp26m7ufg.pdf
DMP26M7UFG 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Max Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) Max TC = +25 Small form factor thermally efficient package enables higher C density end products 6.7m @ VGS = -4.5V -40A -20V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 9.0m
fmp26-02p.pdf
Preliminary Technical Information P CH. N CH.PolarTM P & N-ChannelFMP26-02PPower MOSFETVDSS - 200V 200VCommon Drain Topology34 ID25 - 17A 26AT155 RDS(on) 170m 60m 43trr(typ) 240ns 150nsT2(Electrically Isolated Tab) 1122ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 CTstg -55 ...
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050