2N1115A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1115A

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.125 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: R32

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2N1115A datasheet

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2N1115A

August 2005 FDFM2N111 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Applications FDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck Converter Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a Features MicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

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