2N1117 Todos los transistores

 

2N1117 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N1117
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO5
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N1117 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:286K  fairchild semi
fdfm2n111.pdf pdf_icon

2N1117

August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

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History: BSS56 | BDX83C | 2SB1204

 

 
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