2N457B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N457B
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 30 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
2N457B Datasheet (PDF)
2n4576.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation VoltageThe device employs the popular JEDEC TO-3100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSHigh voltage high current power transistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P
Otros transistores... 2N453 , 2N454 , 2N456 , 2N456A , 2N456B , 2N457 , 2N4576 , 2N457A , BD139 , 2N458 , 2N458A , 2N458B , 2N459 , 2N459A , 2N45A , 2N46 , 2N460 .
History: 2N3215 | UMH3N | 2N3927 | KC817-16 | BCW31LT3 | 2SB736AR | 41008A
History: 2N3215 | UMH3N | 2N3927 | KC817-16 | BCW31LT3 | 2SB736AR | 41008A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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