2N457B Todos los transistores

 

2N457B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N457B
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 30 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N457B Datasheet (PDF)

 9.2. Size:182K  inchange semiconductor
2n4576.pdf pdf_icon

2N457B

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation VoltageThe device employs the popular JEDEC TO-3100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSHigh voltage high current power transistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

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History: 2N3215 | UMH3N | 2N3927 | KC817-16 | BCW31LT3 | 2SB736AR | 41008A

 

 
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