MPSH33 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MPSH33
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MPSH33

MPSH33 Datasheet (PDF)

9.1. Size:26K fairchild semi
mpsh34.pdf

MPSH34NPN General Purpose Amplifier This device is designed for common-emitter low noise amplifier and mixer applications with collector currents in the 100mA to 20mA range to 300MHz, and low frequency drift common-base VHF oscillator applications with high output levels for driving FET mixers.TO-92 Sourced from process 47.1 See MPSH11 for characteristics.1. Bas

9.2. Size:33K no
mpsh19 mpsh20 mpsh30 mpsh31 mpsh32 mpsh37.pdf